産業用高出力ピコ秒レーザー Atlanticシリーズ

UV用オプティクス 8000時間保証、レーザーアブレーション(微細加工)に最適

  • 仕様更新

メーカー名

EKSPLA

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EP04
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製品概要

本レーザーは、優れたビーム品質、平均出力(80W @ 1064nm(IR)、 40W @ 532nm、30W @355nm(UV))、パルスエネルギー(200μJ @ 1064nm、100μJ @ 532nm、75μJ @355nm)および繰返し周波数(最大1MHzまで向上)の特長を有するため、高精度かつ高スループットな加工を実現します。

LCDまたはOLEDディスプレイの切断および穴あけ、レーザー誘起転写法(LIFT)、ガラスおよびサファイア加工、超硬のマイクロマシニング、シリコンスクライビング、太陽電池スクライビングなど、さまざまな微細加工がおこなえます。

産業用高出力UVレーザーは、システムの信頼性とコストパフォーマンスが重要視されています。Atlantic UVの光学系は、UV領域での使用に最適化されており高い安定性を発揮しています。また動作時間は8,000時間保証されています。

また、2-in-1のオプション機能を付けることにより、ピコ秒モードとナノ秒モードの両方で使用できるようになります。
このオプション機能は、ガラスやセラミックなどの材料加工に適しています。

優れたレーザー制御機能により、繰り返し周波数とパルスエネルギーの可変、パルス外部同期が行えます。加工の要求に合わせて最適化が行えます。また、ポリゴンスキャナーのための位置同期出力(PSO)も備えています。

特長

  • UV用オプティクス 8000時間保証
  • 平均出力:最大80W @ 1064nm
  • 繰返し周波数:最大1MHz
  • パルスエネルギー:200μJ @ 1064nm
  • パルス幅:10 ps
  • 優れたビーム品質 (TEM00  M2<1.3)
  • 優れたコストパフォーマンス
  • ナノ秒パルス幅切り換え(オプション)

用途

  • 掘削
  • ポリマーの切断と穴あけ
  • パターニング
  • 構造化
  • アブレーション
  • ダイシング
  • 微細加工
  • 光重合
  • LCD、OLEDディスプレイの切断および穴あけ
  • LIFT
  • ガラスおよびサファイアの構造化とダイシング
  • セラミックス微細加工
  • PCDのドリルとトレース
  • シリコンスクライビング
  • 太陽電池スクライビング
  • PET、PP、PTFE、シリコーンの切断と穴あけ

材料

  • 各種金属
  • ガラス、セラミック、サファイア、PCDなどの脆性材料
  • ケイ素
  • PET、PP、PI、PTFE
  • シリコーン
  • PCB
  • LCD、LED、OLED、microLEDディスプレイパネル
  • 太陽電池

微細加工事例

切断/構造成型

ニチノールのステントカット

PMMAの構造成型

インバー薄膜のスロットカット

LCDガラスフィルターのカット

SCM420の貫通穴あけ

サンプル表面

サンプル裏面

サンプル断面

薄膜太陽電池のパターニング加工(CIGS)

P3(355nm、50kHz、300mm/s), 赤部を拡大

薄膜太陽電池のパターニング加工(アモルファスシリコン)

P1(1064nm、100kHz、800mm/s)

P2(532nm、100kHz、900mm/s)

P3(532nm、100kHz、900mm/s), 赤部を拡大

製品仕様

仕様

型名 Atlantic 50 Atlantic 80
中心波長 1064 nm, 532 nm, 355 nm
出力波長を複数選択可能(オプション)
繰返し周波数 300~1000 kHz 400~1000 kHz
分周機能 繰返し周波数÷1, 2, 3 〜 1025
最大平均出力
1064 nm 50 W 80 W
532 nm 25 W 40 W
355 nm 18 W 30 W
パルスエネルギー
1064 nm 165 µJ 200 µJ
532 nm 85 µJ 100 µJ
355 nm 60 µJ 75 µJ
パルスコントラスト
1064 nm > 300 : 1
532 nm > 500 : 1
355 nm > 1000 : 1
出力安定性
(8時間運転、標準偏差)
< 1.0 %
パルスエネルギー安定性 (標準偏差)
1064 nm < 1.0 %
532 nm < 2.0 %
355 nm < 2.5 %
パルス幅
(FWHM, 1064 nm)
10 ± 3 ps
偏光 直線, 縦横比 100 : 1
ビーム品質 < 1.3
ビーム楕円率 > 0.85
ビーム発散角 < 1.5 mRad
ビーム位置安定性 < 50 µRad
ビーム経(1/e2、アパーチャーから50cmの位置)
1064 nm 1.8 ± 0.3 mm
532 nm 2.2 ± 0.3 mm
355 nm 2.0 ± 0.3 mm
トリガー 内部 / 外部
出力制御 周波数分周器, パルスピッカー, 
振幅コントロール, パワーアッテネーター
システム
インターフェース
keypad / USB / RS232 / LAN
ユーティリティ
動作電圧 100…240 V AC, 単相 47…63 Hz
最大消費電力 < 3.1 kW < 3.5 kW
温度 18~27 °C
湿度 10~80 % (結露なきこと)
大気レベル ISO 9 (room air) or better

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