製品概要
大気中で仕事関数、イオン化ポテンシャル(Ev)を非接触で測定します。励起光(3.4~7.0eV)を照射し、試料表面に接近させたΦ2mmのプローブで光電子/大気イオンを検出します。類似した測定手法の光伝導度は光学バンドギャップを計測しますが、光電子分光は真空準位を超えた電子を検出し仕事関数の絶対値を評価します。光源モジュールを追加した場合、励起エネルギー範囲を紫外から近赤外域まで拡大可能です。 光電子の検出部にケルビンプローブのチップを使用しており、金をリファレンスにしたケルビンプローブ法による相対仕事関数測定も行えます。有機ELや有機太陽電池のみならず、様々な材料の評価に利用可能です。
特長
- 光電子収量分光法(PYS)による仕事関数の絶対値測定
- ケルビンプローブによる相対仕事関数測定も可能
- UV光源エネルギー範囲 3.4~7.0 eV (176~360 nm)
- 大気中・非接触測定
- イオン化ポテンシャル(EV)、フェルミ準位(EF)を1台で測定
オプションで、バンドギャップ(EG)測定可能

主な用途・アプリケーション
- イオン化ポテンシャル・状態密度測定
- 有機EL材料の評価
- ペロブスカイトなど有機太陽電池材料の評価
- 薄膜の膜質評価など
オプション
- 光源モジュール (ハロゲン光源/LED)
- 波長可変光源モジュール (400~1000 nm)
測定原理
●紫外光を照射し、試料表面に接近させたプローブで光電子/大気イオンを検出
●紫外光のエネルギーを掃引し、光電子/大気イオン放出が始まる閾値が仕事関数

測定部の様子


高精度LUMO準位について
逆光電子分光装置(エイエルエステクノロジー社製品)との複合化可能!
高精度LUMO準位も測れます!

逆光電子分光装置-外観
測定例
Si、Cuの仕事関数測定

Siサンプルの仕事関数

Cuサンプルの仕事関数
接触電位差(CPD)に対する仕事関数のプロット

このデータは各種金属について、仕事関数を光電子分光モード、接触電位差(CPD)をケルビンプローブモードで測定したものです。CPDに対して仕事関数をプロットすると、直線となりCPDが0の仕事関数が、プローブチップの仕事関数を示しています。
Si、Cuの状態密度測定

Siサンプルの状態密度

Cuサンプルの状態密度
KP Technology社について
KP Technology社は、2000年創業の会社で、走査型ケルビンプローブシステムや仕事関数測定、有機EL電子状態評価システムなどの、仕事関数測定装置の専業メーカーです。これまで、世界で500 システム以上の装置を大学、研究所、民間企業に納入しています。
創業者でありCEOでもあるProf Iain D Baikieは、1980年代から表面分析のためのケルビンプローブシステムの開発に携わり、この分野の開発と応用で、30年以上の経験を有しています。
