製品概要
ケルビンプローブの老舗メーカー・英国KP Techonology社が開発した、仕事関数・表面電位マッピング装置です。
大気中・非破壊・非接触で、透明電極や有機薄膜特性の均一性評価、組成の変化、電池電極材料や半導体材料の特性分布、 さらには金属表面の腐食状態などを仕事関数・表面電位の変化として、広い領域を2次元マッピングします。 金属、半導体材料だけでなく酸化物など誘電体材料の測定も可能。
SKPシリーズは、ケルビンプローブ、走査ステージとノイズ遮断用の静電シールドカバーがセットになっています。
ステージの走査領域は最大300×300 mm、独自のOff-Null（Baikie）法により高s/n安定、高分解能1～3 meV を実現。
特長
- ケルビンプローブ法による仕事関数・表面電位測定
- Off-Null*（Baikie）法で安定した高S/N比測定
- 高分解能測定 1～3 meV
- 非破壊、非接触測定
- 大気中で簡単に測定
- ステージ走査範囲： 最大300×300 mm
- 超高真空対応モデルあり
Off-Null(Baikie)法とは
ケルビンプローブの伝統的な手法では、プローブからの信号がゼロになるようなバイアス電圧を求め、この電圧から仕事関数を求めます。一方Off-Null(Baikie)法では、バイアス電圧を走査することによってバイアス電圧と信号電圧がバランスする電圧を得るため、電圧の小さな信号を測定する必要がありません。そのため、測定環境やノイズの影響を受けずに、高いs/n比でより素早く正確に仕事関数を測定することが出来ます。
主な用途
- 有機EL材料の評価
- 薄膜の膜質評価
- 太陽電池/有機薄膜太陽電池
- 有機/無機半導体
- 金属
- 浸食・腐食
オプション
- 表面光起電力測定用光源 (石英タングステンハロゲン光源/LED)
- 表面光起電力測定用波長可変光源 (400～1000 nm)
測定データ例
金/アルミ標準サンプル
走査範囲:10 x 16 mm、チップサイズ:2 mm、仕事関数の変化:約1000 meV
真鍮上の指紋
走査範囲:4 x 6 mm、チップサイズ:50 μm、＊アメリカポートランド警察様
ITO/ガラス上の有機膜
膜厚: 数nm、走査範囲: 22 x 22 mm、チップサイズ: 2 mm、仕事関数の変化: 約200 meV
Siウェハ上の有機単分子膜
走査範囲: 12 x 12 mm、チップサイズ: 2 mm、仕事関数の変化 約160 meV
レーザー加工された自己組織化単分子膜
走査範囲: 1.6 x 0.8 mm、チップサイズ: 50 um、仕事関数の変化: 約400 meV
＊Si基板上
単一電子トランジスタデバイス
走査範囲: 2 x 2 mm、チップサイズ: 50 um、仕事関数の変化: 約400 meV
*材料Al, Au, Si
多結晶シリコン太陽電池
走査範囲: 10 x 11 mm、仕事関数の変化: 約800 meV
電池電極材料（LiCoO2）の粉末
仕事関数の算出方法について
ケルビンプローブシステムでは、試料とプローブチップ間の接触電位差(CPD)を計測します。この測定値は相対的な仕事関数のため、絶対的な仕事関数(WF)を得るには、金などの標準試料を利用して、以下の方法により算出します。
CPD(測定値) = WF試料 – WFチップ
WFチップ = WF標準試料 – CPD – (a)
WF試料 = WFチップ + CPD – (b)
＊＊算出例＊＊
WF標準試料 = 4.8 eVとして、標準試料を測定した時のCPDが+0.14 eVとすると、
(a)式より、
WFチップ = 4.8 eV – (+0.14) eV
WFチップ = 4.66 eV
＊標準試料のWFは、文献値や別の手法で測定した絶対値を使用します。
次に、実際の試料を測定した時のCPDが-0.15 eVとすると、
(b)式より、
WF試料 = 4.66 eV + (-0.15) eV
WF試料 = 4.51 eV
KP Technology社CEO（Prof.Baikie）による製品紹介動画
動画「走査型ケルビンプローブシステム」
動画「ケルビンプローブの原理」
関連カテゴリ一覧
KP Technology社について
KP Technology社は、2000年創業の会社で、走査型ケルビンプローブシステムや有機EL電子状態評価システムなどの、仕事関数測定装置の専業メーカーです。これまで、世界で300システム以上の装置を大学、研究所、民間企業に納入しています。
創業者でありCEOでもあるProf Iain D Baikieは、1980年代から表面分析のためのケルビンプローブシステムの開発に携わり、この分野の開発と応用で、30年以上の経験を有しています。
