超短パルス極紫外(EUV)光源 Pantheon

極紫外(EUV)超短パルス光源 Pantheon 概要

極紫外領域の光は、ナノスケールイメージング、超高速磁化ダイナミクス、光電子分光、半導体リソグラフィーなど様々な測定に用いられ、分光実験や産業において重要視されるスペクトル領域です。

Phantheon™の導入により、角度分解光電子分光(ARPES)やコヒーレント回折イメージング等の様々な分光実験に適用可能な極紫外超短パルス光を実験室で利用する事が可能になります。またPantheon™の卓越した安定性により、煩雑なレーザーのオペレーションと調整作業がなくなるため、研究により集中することが可能になります。

KM Labs社のPhantheon™プラットフォームは、極紫外光の発生に必要な部品から、極紫外光を実験装置に導くための光学系まで、すべてが統合された超短パルス極紫外光源です。Phantheon™はフェムト秒域のパルス幅を持つ光を、繰り返し周波数10 kHzで発生させます。 このパルス光は、レーザー光と同等のコヒーレンスを持つ集光性が高いビームです。

極紫外光は、波長800 nmの超短パルスレーザーを基本波とした、高次高調波により発生します。Phantheon™は、ビームラインに基本波を除去するための光学素子を備えており、発生した極紫外光のみ実験装置に活用することが可能です。分離された基本波は別の実験や、IR／EUVポンプ・プローブ測定のポンプ光としてご利用していただけます。

高NA・EUV干渉リソグラフィを実証

imec AttolabにてKMLabs社製13nmEUV光源を用いて、高NA・EUV干渉リソグラフィの実証を行いました。

https://www.kmlabs.com/news-and-events/attolab-13nm-highna-euv-interference-lithography（英文）

imec社 プレスリリース全文(英文)

https://www.imec-int.com/en/press/imec-demonstrates-20nm-pitch-linespace-resist-imaging-high-na-euv-interference-lithography?fbclid=IwAR255yZ2hodFx1gnBtH4x10F_NKSHivEabwcQ8YYZSczSL-Fx4KCg5b5_Io

特長

• 産業用に設計された堅牢性に優れたEUV光源
• 時間・空間コヒーレンスの良い極紫外パルス光源
• 実験用途に最適化された単色極紫外光
• 卓越した安定性

アプリケーション

• コヒーレント回折イメージング (CDI)
• 角度分解光電子分光 (ARPES)
• ポンプ・プローブ分光
• 磁気光学カー効果
• アトムプローブトモグラフィー
• 光電子顕微鏡 (PEEM)

ARPES, EUV 磁気光学カー効果、ポンプ・プローブ分光、ナノスケールイメージング等、多彩な用途での実績があります。

画像提供 : コロラド大学ボルダー校